Effect of the Samarium Impurity on the Local Structure of Se95Te5 Chalcogenide Glassy Semiconductor and Current Passage through Al–Se95Te5〈Sm〉–Te Structures


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The effect of samarium doping on the local structure and morphological features of the surface of a Se95Te5 chalcogenide glassy semiconductor film is investigated by X-ray diffraction analysis and atomic force microscopy, and the effect of doping on the current flow through Al–Se95Te5〈Sm〉–Te structures is examined by measuring the IV characteristics in the steady-state mode. The results obtained are interpreted using Lampert’s theory of injection currents, the Elliott void-cluster model, and the Mott and Street charged defects model proposed for chalcogenide glasses.

Об авторах

S. Ataeva

Abdullaev Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: seva_atayeva@mail.ru
Азербайджан, Baku, Az-1143

S. Mekhtieva

Abdullaev Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences

Email: seva_atayeva@mail.ru
Азербайджан, Baku, Az-1143

A. Isaev

Abdullaev Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences

Email: seva_atayeva@mail.ru
Азербайджан, Baku, Az-1143

S. Garibova

Abdullaev Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences; Khazar University

Email: seva_atayeva@mail.ru
Азербайджан, Baku, Az-1143; Baku, Az-1096

A. Huseynova

Abdullaev Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences

Email: seva_atayeva@mail.ru
Азербайджан, Baku, Az-1143


© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах