Observation of Regions of Negative Differential Conductivity and Current Generation during Tunneling through Zero-Dimensional Defect Levels of the h-BN Barrier in Graphene/h-BN/Graphene Heterostructures


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Tunneling and magnetic tunneling are investigated in graphene/h-BN/graphene van der Waals heterosystems. Two new types of systems are found, in which negative differential conductivity regions are implemented due to resonant tunneling through defect levels in the h-BN barrier, and current caused by their presence is generated.

Об авторах

Yu. Khanin

Institute of Problems of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences

Email: vdov62@yandex.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

E. Vdovin

Institute of Problems of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: vdov62@yandex.ru
Россия, Chernogolovka, Moscow oblast, 142432

A. Mishchenko

School of Physics and Astronomy, University of Manchester

Email: vdov62@yandex.ru
Великобритания, Manchester, Oxford Road, M13 9PL

K. Novoselov

School of Physics and Astronomy, University of Manchester

Email: vdov62@yandex.ru
Великобритания, Manchester, Oxford Road, M13 9PL


© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах