Study of the Structural and Morphological Properties of HPHT Diamond Substrates


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The morphological and structural properties of a series of high-pressure high-temperature (HPHT) single-crystal diamond substrates are comprehensively studied by white-light optical interference microscopy, atomic-force microscopy, and X-ray diffraction analysis. Procedures that provide a means for characterizing the substrate parameters most critical for epitaxial application with the laboratory equipment are described. It is shown that the jewelry-type characterization of diamond substrates is insufficient to assess the possibility of their use for the epitaxial growth of chemical-vapor-deposited (CVD) diamond.

Об авторах

P. Yunin

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: yunin@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603087

P. Volkov

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Email: yunin@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603087

Yu. Drozdov

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Email: yunin@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603087

A. Koliadin

New Diamond Technology, Ltd.

Email: yunin@ipmras.ru
Россия, St. Petersburg, 197706

S. Korolev

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Email: yunin@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603087

D. Radischev

Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences

Email: yunin@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950

E. Surovegina

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Email: yunin@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603087

V. Shashkin

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Email: yunin@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603087


© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах