Kinetics of Structural Changes on GaSb(001) Singular and Vicinal Surfaces During the UHV Annealing

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The dynamics of processes of antimony desorption was investigated on the singular and vicinal GaSb(001) surface by RHEED method. The role of the terraces edges was determined during antimony evaporation in Langmuir desorption mode. It is shown that the structural transition (2 × 5) → (1 × 3) is a complex of two transitions—orderdisorder and disorder → order. The influence of the degree of surface miscut from the singular face on the dimension of the transition (2 × 5) → DO was studied. The activation energies of structural transitions ex(2 × 5) → (2 × 5), (2 × 5) → DO and DO → (1 × 3) on singular and vicinal faces GaSb(001) were determined.

Об авторах

A. Vasev

Institute of Semiconductor Physics

Автор, ответственный за переписку.
Email: vasev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

M. Putyato

Institute of Semiconductor Physics

Email: vasev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

V. Preobrazhenskii

Institute of Semiconductor Physics

Email: vasev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

A. Bakarov

Institute of Semiconductor Physics

Email: vasev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090

A. Toropov

Institute of Semiconductor Physics

Email: vasev@isp.nsc.ru
Россия, Novosibirsk, 630090


© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах