Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility of Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures.

Об авторах

I. Shtrom

St. Petersburg Academic University; Institute for Analytical Instrumentation; St. Petersburg State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: igorstrohm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 190103; St. Petersburg, 199034

N. Filosofov

St. Petersburg State University

Email: igorstrohm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 199034

V. Agekian

St. Petersburg State University

Email: igorstrohm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 199034

M. Smirnov

St. Petersburg State University

Email: igorstrohm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 199034

A. Serov

St. Petersburg State University

Email: igorstrohm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 199034

R. Reznik

St. Petersburg Academic University; Institute for Analytical Instrumentation; ITMO University

Email: igorstrohm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 190103; St. Petersburg, 197101

K. Kudryavtsev

Institute for Physics of Microstructures of the Russian Academy of Sciences

Email: igorstrohm@mail.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 603950

G. Cirlin

St. Petersburg Academic University; Institute for Analytical Instrumentation; ITMO University

Email: igorstrohm@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 190103; St. Petersburg, 197101


© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах