Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The spatial distribution of equilibrium and nonequilibrium (including luminescent) IR (infrared) radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures (λmax = 3.4 μm) is measured and analyzed; the structural features of the photodiodes, including the reflective properties of the ohmic contacts, are taken into account. Optical area enhancement due to multiple internal reflection in photodiodes with different geometric characteristics is estimated.

Авторлар туралы

A. Zakgeim

Scientific and Technological Center for Microelectronics

Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Il’inskaya

Ioffe Institute

Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

S. Karandashev

Ioffe Institute

Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

A. Lavrov

Ioffe Institute; Open Company “IoffeLED”

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194021

B. Matveev

Ioffe Institute

Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

M. Remennyy

Ioffe Institute

Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Stus’

Ioffe Institute

Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

A. Usikova

Ioffe Institute

Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

A. Cherniakov

Scientific and Technological Center for Microelectronics

Email: ioffeled@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017