GaSb laser-power (λ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Photovoltaic converters of laser light with a wavelength of λ = 1550 nm are developed using liquidphase epitaxy (LPE), metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD), and diffusion from the gas phase into the n-GaSb substrate. Photocells with an area of S of 4, 12.2, and 100 mm2 are fabricated and tested. The characteristics of the samples produced by different methods are compared. The monochromatic efficiency is found to be 38.7% for the best converters (with S = 12.2 mm2) at a laser power of 1.4 W.

Об авторах

V. Khvostikov

Ioffe Physical–Technical Institute

Автор, ответственный за переписку.
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

S. Sorokina

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

O. Khvostikova

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

R. Levin

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

B. Pushnyi

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

N. Timoshina

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

V. Andreev

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021


© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах