Informaçao sobre o Autor
Tikhomirov, V.
Edição | Seção | Título | Arquivo |
Volume 50, Nº 2 (2016) | Physics of Semiconductor Devices | Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation | |
Volume 51, Nº 3 (2017) | Physics of Semiconductor Devices | AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors |