Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
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Egorkin, V. I.
Edição
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Volume 50, Nº 3 (2016)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation
Volume 50, Nº 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis
Volume 50, Nº 12 (2016)
XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016
Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors
Volume 51, Nº 3 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors
Volume 52, Nº 15 (2018)
Technological Processes and Routes
Investigating the RTA Treatment of Ohmic Contacts to
n
-Layers of Heterobipolar Nanoheterostructures
Volume 53, Nº 15 (2019)
Technological Processes and Routes
Influence of the Metallization Composition and Annealing Process Parameters on the Resistance of Ohmic Contacts to
n
-type 6
H
-SiC
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