Informaçao sobre o Autor

Voelskow, M.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 51, Nº 9 (2017) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films
Volume 53, Nº 8 (2019) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO2 Films

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