Автор туралы ақпарат

Voelskow, M.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 51, № 9 (2017) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films
Том 53, № 8 (2019) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO2 Films

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>