Автор туралы ақпарат

Pchelyakov, O. P.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 50, № 3 (2016) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Layer-by-Layer Analysis of the Thickness Distribution of Silicon Dioxide in the Structure SiO2/Si(111) by Inelastic Electron Scattering Cross-Section Spectroscopy
Том 52, № 3 (2018) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Formation of a Stepped Si(100) Surface and Its Effect on the Growth of Ge Islands

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>