Автор туралы ақпарат
Alyabina, N. A.
Шығарылым | Бөлім | Атауы | Файл |
Том 53, № 9 (2019) | Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 | Tunnel Diodes Based on n+-Ge/p+-Si(001) Epitaxial Structures Grown by the Hot-Wire Chemical Vapor Deposition |