Автор туралы ақпарат

Kalinnikov, M. A.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 53, № 7 (2019) Electronic Properties of Semiconductors Influence of Annealing on the Properties of Ge:Sb/Si(001) Layers with an Antimony Concentration Above Its Equilibrium Solubility in Germanium
Том 53, № 10 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>