Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Moiseev, E.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 50, № 3 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Том 50, № 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency
Том 51, № 2 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers
Том 51, № 2 (2017)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates
Том 51, № 9 (2017)
Electronic Properties of Semiconductors
Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range
Том 52, № 12 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Violation of Local Electroneutrality in the Quantum Well of a Semiconductor Laser with Asymmetric Barrier Layers
Том 53, № 2 (2019)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Silicon Nanopillar Microarrays: Formation and Resonance Reflection of Light
Том 53, № 8 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Evaluation of the Impact of Surface Recombination in Microdisk Lasers by Means of High-Frequency Modulation
Том 53, № 14 (2019)
Lasers and Optoelectronic Devices
Record Low Threshold Current Density in Quantum Dot Microdisk Laser
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP