Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Ber, B. Ya.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 50, № 7 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Electrochemical lithiation of silicon with varied crystallographic orientation
Том 51, № 5 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Formation of a
p
-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters
Том 51, № 8 (2017)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Effects of irradiation with 8-MeV protons on
n
-3
C
-SiC heteroepitaxial layers
Том 52, № 1 (2018)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Mobility of the Two-Dimensional Electron Gas in DA-
p
HEMT Heterostructures with Various δ–
n
-Layer Profile Widths
Том 52, № 2 (2018)
Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
Change in the Character of Biaxial Stresses with an Increase in
x
from 0 to 0.7 in Al
x
Ga
1 –
x
N:Si Layers Obtained by Ammonia Molecular Beam Epitaxy
Том 52, № 10 (2018)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Nanostructure Growth in the Ga(In)AsP–GaAs System under Quasi-Equilibrium Conditions
Том 53, № 11 (2019)
Surfaces, Interfaces, and Thin Films
Investigation of Composition Uniformity in Thickness of GaInAsP Layers Grown on InP Substrates by Vapor-Phase Epitaxy
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP