Field Effect in PbSnTe:In Films with Low Conductivity in the Mode of Injection from Contacts and Space-Charge Limitation of the Current


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

At T = 4.2 K, a strong change (up to 4 times) in the space-charge-limited current (SCLC) is observed for the first time at samples based on semi-insulating PbSnTe:In films grown by molecular-beam epitaxy on BaF2(111) substrates. The obtained results agree with experiments on the effect of treatment of the surface of PbSnTe:In films on the space-charge-limited current with a variation in the current to 103 times or more. At a qualitative level, the model is considered which assumes the substantial contribution of localized surface states to space charge formed in the mode of space-charge-limited current due to the injection of charge carriers from contacts.

Авторлар туралы

A. Akimov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: klimov@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090

A. Klimov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; Novosibirsk State Technical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: klimov@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090; Novosibirsk, 630073

V. Epov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences

Email: klimov@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090


© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>