Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Laser-power converters for the wavelength λ = 808 nm are fabricated by liquid-phase epitaxy (LPE) on the basis of n-Al0.07GaAs–p-Al0.07GaAs–p-Al0.25GaAs single-junction heterostructures. The converters are tested with uniform (pulse simulator) and partly nonuniform (laser beam) illumination distribution over the photoreceiving surface. In the former case, a monochromatic efficiency of η = 53.1% is achieved for samples with an area of S = 4 cm2 at a power of 1.2 W. At S = 10.2 mm2 the efficiency is 58.3% at a laser power of 0.7 W.

Авторлар туралы

V. Khvostikov

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vlkh@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

S. Sorokina

Ioffe Institute

Email: vlkh@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Potapovich

Ioffe Institute

Email: vlkh@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

O. Khvostikova

Ioffe Institute

Email: vlkh@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Timoshina

Ioffe Institute

Email: vlkh@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

M. Shvarts

Ioffe Institute

Email: vlkh@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021


© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>