Crystal defects in solar cells produced by the method of thermomigration


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The results of studying the crystal structure of regions in silicon, recrystallized during the course of thermomigration of the liquid Si–Al zone in the volume of the silicon substrate, are reported (similar regions doped with an acceptor impurity are used to obtain high-voltage solar cells). X-ray methods (including measurements of both diffraction-reflection curves and topograms) and also high-resolution electron microscopy indicate that single-crystal regions in the form of a series of thin strips or rectangular grids are formed as a result of the thermomigration of liquid zones. Dislocation half-loops are detected in the surface layers of the front and back surfaces of the substrate. {311}-type defects are observed in the recrystallized regions.

Авторлар туралы

V. Lozovskii

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: seredinboris@gmail.com
Ресей, Novocherkassk, 346428

A. Lomov

Institute of Physics and Technology

Email: seredinboris@gmail.com
Ресей, Moscow, 117218

L. Lunin

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: seredinboris@gmail.com
Ресей, Novocherkassk, 346428

B. Seredin

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: seredinboris@gmail.com
Ресей, Novocherkassk, 346428

Yu. Chesnokov

National Research Center “Kurchatov Institute”

Email: seredinboris@gmail.com
Ресей, Moscow, 123182


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>