Мақаланы E-mail арқылы жіберу Improving the functional characteristics of gallium nitride during vapor phase epitaxy
- Авторлар: Vigdorovich E.N.1
-
Мекемелер:
- Moscow State University of Instrument Engineering and Computer Science
- Шығарылым: Том 50, № 13 (2016)
- Беттер: 1697-1701
- Бөлім: Materials for Electronic Engineering
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/199191
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616130108
- ID: 199191
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
The mechanisms of gallium nitride crystallization during vapor phase epitaxy are theoretically analyzed. The limited growth in the boundary layer is thoroughly investigated. The conditions for control of the process and intensification of the mass transfer are determined. The effect of the substrate rotation speed on the crystallization mechanism is experimentally studied.
Негізгі сөздер
Авторлар туралы
E. Vigdorovich
Moscow State University of Instrument Engineering and Computer Science
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: evgvig@mail.ru
Ресей, Moscow, 107996
Қосымша файлдар
