English
Русский
简体中文
Kazakh
Português (Brasil)
Беттің Тақырыбы
Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print) ISSN 1608-3415 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
  • Анықтамалық материалдар
    • Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
    • RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер ADC DAC GaAs MIS varicap RUSSIAN Microelectronics atomic force microscopy compaction in a magnetic field ferroelectrics gallium arsenide gallium nitride heterostructure heterostructures interface leakage current magnetic texture phase shifter porous silicon recrystallization silicon carbide varicap zirconia
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер ADC DAC GaAs MIS varicap RUSSIAN Microelectronics atomic force microscopy compaction in a magnetic field ferroelectrics gallium arsenide gallium nitride heterostructure heterostructures interface leakage current magnetic texture phase shifter porous silicon recrystallization silicon carbide varicap zirconia
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Murin, D. B.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 45, № 5 (2016) Article Kinetics of the interaction between a CCl2F2 radio-frequency discharge and gallium arsenide
Том 46, № 4 (2017) Article Copper etching kinetics in a high-frequency discharge of freon R12
Том 47, № 2 (2018) Article Electrophysical Parameters and Radiation Spectra of Boron Trichloride Plasma
Том 47, № 4 (2018) Article Structuring Copper in the Plasma Medium of a High-Frequency Discharge
Том 47, № 4 (2018) Article On the Effect of the Ratio of Concentrations of Fluorocarbon Components in a CF4 + C4F8 + Ar Mixture on the Parameters of Plasma and SiO2/Si Etching Selectivity
Том 47, № 6 (2018) Article Parameters of Plasma and Kinetics of Active Particles in CF4 (CHF3) + Ar Mixtures of a Variable Initial Composition
Том 47, № 6 (2018) Article Etching of GaAs in the Plasma of a Freon R-12–Argon (CCl2F2/Ar) Mixture
Том 48, № 2 (2019) Article Features of the Kinetics of Bulk and Heterogeneous Processes in CHF3 + Ar and C4F8 + Ar Plasma Mixtures
Том 48, № 6 (2019) Article Parameters of Plasma and Way of Etching Silicon in a CF4 + CHF3 + O2 Mixture
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP