Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print)
ISSN 1608-3415 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Анықтамалық материалдар
Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Murin, D. B.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 45, № 5 (2016)
Article
Kinetics of the interaction between a CCl
2
F
2
radio-frequency discharge and gallium arsenide
Том 46, № 4 (2017)
Article
Copper etching kinetics in a high-frequency discharge of freon R12
Том 47, № 2 (2018)
Article
Electrophysical Parameters and Radiation Spectra of Boron Trichloride Plasma
Том 47, № 4 (2018)
Article
Structuring Copper in the Plasma Medium of a High-Frequency Discharge
Том 47, № 4 (2018)
Article
On the Effect of the Ratio of Concentrations of Fluorocarbon Components in a CF
4
+ C
4
F
8
+ Ar Mixture on the Parameters of Plasma and SiO
2
/Si Etching Selectivity
Том 47, № 6 (2018)
Article
Parameters of Plasma and Kinetics of Active Particles in CF
4
(CHF
3
) + Ar Mixtures of a Variable Initial Composition
Том 47, № 6 (2018)
Article
Etching of GaAs in the Plasma of a Freon R-12–Argon (CCl
2
F
2
/Ar) Mixture
Том 48, № 2 (2019)
Article
Features of the Kinetics of Bulk and Heterogeneous Processes in CHF
3
+ Ar and C
4
F
8
+ Ar Plasma Mixtures
Том 48, № 6 (2019)
Article
Parameters of Plasma and Way of Etching Silicon in a CF
4
+ CHF
3
+ O
2
Mixture
TOP