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Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print) ISSN 1608-3415 (Online)
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Palavras-chave ADC DAC GaAs MIS varicap RUSSIAN Microelectronics atomic force microscopy compaction in a magnetic field ferroelectrics gallium arsenide gallium nitride heterostructure heterostructures interface leakage current magnetic texture phase shifter porous silicon recrystallization silicon carbide varicap zirconia
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Informaçao sobre o Autor

Murin, D. B.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 45, Nº 5 (2016) Article Kinetics of the interaction between a CCl2F2 radio-frequency discharge and gallium arsenide
Volume 46, Nº 4 (2017) Article Copper etching kinetics in a high-frequency discharge of freon R12
Volume 47, Nº 2 (2018) Article Electrophysical Parameters and Radiation Spectra of Boron Trichloride Plasma
Volume 47, Nº 4 (2018) Article Structuring Copper in the Plasma Medium of a High-Frequency Discharge
Volume 47, Nº 4 (2018) Article On the Effect of the Ratio of Concentrations of Fluorocarbon Components in a CF4 + C4F8 + Ar Mixture on the Parameters of Plasma and SiO2/Si Etching Selectivity
Volume 47, Nº 6 (2018) Article Parameters of Plasma and Kinetics of Active Particles in CF4 (CHF3) + Ar Mixtures of a Variable Initial Composition
Volume 47, Nº 6 (2018) Article Etching of GaAs in the Plasma of a Freon R-12–Argon (CCl2F2/Ar) Mixture
Volume 48, Nº 2 (2019) Article Features of the Kinetics of Bulk and Heterogeneous Processes in CHF3 + Ar and C4F8 + Ar Plasma Mixtures
Volume 48, Nº 6 (2019) Article Parameters of Plasma and Way of Etching Silicon in a CF4 + CHF3 + O2 Mixture
 

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