Открытый доступ Открытый доступ  Доступ закрыт Доступ предоставлен  Доступ закрыт Только для подписчиков

№ 1 (2024)

Обложка

Весь выпуск

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Статьи

Изменение структуры аморфной фазы при термообработке и деформации

Абросимова Г.Е.

Аннотация

Исследовано влияние термообработки и деформации на изменение структуры аморфных сплавов Co67Fe7Si12B9Nb5, Al87Ni8Y5, Al88Ni6Y6, Al87Ni8Gd5, Al87Ni8La5, Zr50Cu15Ti16Ni19, полученных методом скоростной закалки расплава. Установлено, что и термообработка, и деформация ведут к образованию гетерогенной структуры, а неоднородности структуры могут быть обусловлены как разной концентрацией компонентов (при термообработке), так и разной плотностью (концентрацией свободного объема). На ранних стадиях кристаллизации фазовый состав формирующейся системы зависит от типа воздействия на аморфную структуру и параметров обработки (температура, вид и степень деформации). Размеры нанокристаллов и доля нанокристаллической составляющей зависят от предыстории образца.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):3–10
pages 3–10 views

Магнитная доменная структура микропроводов на основе железа после удаления стеклянной оболочки путем скалывания и химического травления

Аксенов О.И., Фукс А.А., Аронин А.С.

Аннотация

Методом магнитно-силовой микроскопии исследована магнитная доменная структура поверхности микропроводов состава Fe73.9B13.2Si10.9C2. Установлено, что удаление стекла с помощью скалывания приводит к искажению исходной магнитной структуры. Химическое травление стеклянной оболочки позволяет наблюдать магнитную доменную структуру, обусловленную напряжениями, возникшими вследствие изготовления микропровода. В отсутствие приложенного магнитного поля наблюдается магнитная структура поверхностного слоя, состоящая из доменных прослоек, наклоненных к оси микропровода на 45° или 135°. Данная структура имеет форму, близкую к зигзагообразной. Толщина доменных прослоек непостоянна и варьируется от 3 до 5 мкм. Обнаружено, что приложение постоянного магнитного поля вдоль оси микропровода вызывает образование кольцеобразных доменных прослоек различной толщины (от 1 до 5 мкм) с различной ориентацией магнитного момента относительно поверхности микропровода. В поле напряженностью 60 Э, приложенном вдоль оси микропровода, доменная магнитная структура представляет собой только кольцеобразные слои доменов. Инвертирование поля приводит к практически полной инверсии наблюдаемой доменной структуры. Полное снятие магнитного поля приводит к формированию новой доменной структуры поверхностного слоя. Такая структура близка по форме и положению доменов к исходной, но не повторяет ее.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):11–16
pages 11–16 views

Влияние амплитуды напряженности импульсного магнитного поля на параметры магнитопластического эффекта в состаренном алюминиевом сплаве Al–Si–Cu–Fe

Осинская Ю.В., Магамедова С.Г., Покоев А.В.

Аннотация

Представлены результаты комплексного экспериментального исследования влияния амплитуды напряженности импульсного магнитного поля на свойства и характеристики алюминиевого сплава Al–Si–Cu–Fe при старении. Приведены сведения о режимах термомагнитной обработки и результаты измерений микротвердости, параметра решетки и параметров тонкой структуры сплава, состаренного при температуре 175°С в течение 4 ч, в импульсном магнитном поле амплитудой напряженности от 79.6 до 557.2 кА/м и в его отсутствие. Сформулированы основные закономерности изменения структуры и свойств металлического сплава в процессе отжига.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):17–22
pages 17–22 views

Монослой тетраоксо[8]циркулена как материал для водородных хранилищ: модель с поправками Бойса–Бернарди в рамках теории функционала электронной плотности

Аникина Е.В., Бабайлова Д.В., Жилин М.С., Бескачко В.П.

Аннотация

С помощью теории функционала электронной плотности с поправками на дисперсионное взаимодействие (полуэмпирическими и аналитическими) были исследованы параметры адсорбции молекулярного водорода на монослое тетраоксо[8]циркулена. Расчеты выполнены с использованием двух разных подходов к представлению волновой функции системы – в базисах атомноподобных орбиталей и плоских волн. Показано, что в атомноподобном базисе (менее затратном по вычислительным ресурсам) возможно получить результаты по адсорбции молекулярного водорода, не уступающие таковым в базисе плоских волн, если оптимизировать базис атомноподобных орбиталей и учесть поправку, компенсирующую ошибку суперпозиции базисного набора, возникающую как при вычислении энергии связи, так и при моделировании геометрических характеристик. Если этого не сделать, то энергия связи H2 с основой может быть завышена в 4–6 раз, а иногда и больше, в 20 раз; а расстояние водород–монослой будет занижено на 10–20%. Параметры оптимизированных атомноподобных орбиталей могут быть использованы для дальнейшего исследования модифицированных форм монослоя тетраоксо[8]циркулена. Тем более наши расчеты показали, что связь водорода с совершенным монослоем тетраоксо[8]-циркулена преимущественно ван-дер-ваальсова с энергией 60–90 мэВ, что в несколько раз меньше желаемого диапазона в 200–600 мэВ. Чтобы достигнуть таких значений, необходимо будет модифицировать поверхность монослоя, создавая более активные сорбционные центры, например, посредством декорирования металлами или нанесением структурных дефектов.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):23–32
pages 23–32 views

Полосы сдвига в аморфных сплавах и их роль в образовании нанокристаллов

Аронин А.С., Волков Н.А., Першина Е.А.

Аннотация

Исследованы процессы эволюции структуры и морфологии поверхности аморфных сплавов Al87Ni8La5 и Fe76Si13B11 при деформации. Показано, что деформация происходит путем образования и распространения полос сдвига, которые при выходе на поверхность образуют ступеньки. Отмечено образование нанокристаллов в полосах сдвига. Показано, что ступеньки на поверхности образуются при совокупном воздействии нескольких элементарных полос сдвига. Полосы сдвига имеют переменную толщину в диапазоне от 5 до 20 нм. Элементарная ступенька имеет толщину около 15 нм. Полосы сдвига могут объединяться в зоны. Поперечный размер зон около 1 мкм. Образование нанокристаллов в зонах может приводить к анизотропии в ориентации нанокристаллов в аморфной матрице. При увеличении степени деформации нанокристаллы формируются не только в полосах сдвига, но и в примыкающих к ним областях. Наблюдается разница в кинетике образования нанокристаллов в сплаве на основе алюминия и железа.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):33–40
pages 33–40 views

Не-друдеподобное поведение фотоиндуцированной диэлектрической проницаемости GaAs и Si в гигагерцовом диапазоне частот

Бутылкин В.С., Крафтмахер Г.А., Фишер А.С.

Аннотация

Обнаружено не-друдеподобное поведение действительной части фотоиндуцированной диэлектрической проницаемости ReεP образцов GaAs и Si в гигагерцовом диапазоне. Измерения проведены прямым резонаторным методом в условиях волоконно-оптического облучения при различной мощности облучения P. Показано, что в согласии с гипотезой об экситонном механизме фотоиндуцированной микроволновой диэлектрической проницаемости ReεP увеличивается с ростом P (с приближением к насыщению выше P = 200 мВт) вместо уменьшения в рамках свободных носителей заряда по Друде. Продемонстрирована свидетельствующая в пользу универсальности экситонного механизма общность поведения действительных частей ReεP фотоиндуцированной диэлектрической проницаемости, наблюдаемой у полупроводников разных типов (прямозонного GaAs и непрямозонного Si) в разных электродинамических системах (волноводы, резонаторы, метаструктуры). Впервые предложены оптически управляемые в гигагерцовом диапазоне структурные элементы метаматериалов (метаструктуры), содержащие резонансные электропроводящие элементы, нагруженные образцами GaAs и Si: метаструктура на основе линейных диполей и полуволновой электрический диполь на основе многозаходной спирали. Впервые измерены гигагерцовые отклики метаструктур и трансформация откликов, связанная с изменением диэлектрической проницаемости Si и GaAs при фотовозбуждении. На основе выдвинутой гипотезы о влиянии экситонов на фотовозбуждение обсужден наблюдаемый эффект насыщения гигагерцовой фотоиндуцированной диэлектрической проницаемости.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):41–47
pages 41–47 views

Ab initio моделирование энергии межфазных границ α-Fe/Fe3C с ориентационными соотношениями типа Багаряцкого

Верховых А.В., Мирзоев А.А., Окишев К.Ю., Дюрягина Н.С.

Аннотация

Одной из основных структурных составляющих углеродистых и низколегированных сталей является перлит. В нем между объемно-центрированной кубической ферритной и ромбической цементитной Fe3C фазами могут наблюдаться ориентационные соотношения Багаряцкого, Исайчева и Питча. В низкотемпературном перлите, имеющем наибольшую прочность, преобладают первые два, которые близки друг к другу и в эксперименте не всегда разделены. В настоящем исследовании проведено моделирование из первых принципов с помощью теории функционала плотности в программном пакете WIEN2k структуры и энергии когерентных межфазных границ α-Fe/Fe3C. Суперячейки подвергали структурной и объемной оптимизации. Расчеты поверхностной энергии межфазных границ дали значения 0.383 и 0.594 Дж/м2 для ориентационных соотношений Багаряцкого и Исайчева соответственно. Это хорошо согласуется с существующими экспериментальными значениями и результатами других молекулярно-динамических и первопринципных расчетов. Различие в поверхностной энергии может играть существенную роль для низкотемпературного перлита с малой толщиной пластин феррита и цементита и большой площадью межфазных границ в единице объема.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):48–56
pages 48–56 views

Визуализация структурных доменов в монокристалле пниктида железа EuFe2As2

Успенская Л.С., Сидельников М.С., Перваков К.С., Власенко В.А., Винников Л.Я.

Аннотация

Известно, что при синтезе сверхпроводящих монокристаллов EuRbFe4As4 встречается примесь родительской фазы EuFe2As2. Методом поляризационно-оптической микроскопии исследована кинетика образования ромбической фазы в кристаллах EuRbFe4As4, содержащих большую долю фазы EuFe2As2. Показано, что ромбическая фаза прорастает в тетрагональную полосками с одной кристаллографической ориентацией, образуя макродомены. Затем эти домены скачкообразно пронизывают параллельные полосы ромбической фазы второй ориентации, и формируется двойниковая система ромбических доменов. Процесс сопровождается возникновением макронапряжений – волн растяжения и сжатия с характерным периодом 100–300 мкм в продольном и поперечном направлениях относительно двойниковой системы, приводящих к пространственной модуляции магнитной проницаемости. Установлено, что даже слабые магнитные поля (до 100 Э) существенно влияют на пространственное распределение двойниковой структуры и оказывают воздействие, аналогичное внешним напряжениям.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):57–64
pages 57–64 views

Влияние изотермического отжига на оптические свойства кристаллов Ca3TaGa3Si2O14

Деев Г.Ю., Козлова Н.С., Забелина Е.В., Касимова В.М., Пилюшко С.М., Бузанов О.А.

Аннотация

Исследовано влияние послеростового изотермического отжига в вакууме и на воздухе на оптические свойства образцов кристаллов Ca3TaGa3Si2O14 на срезах, перпендикулярных оси симметрии третьего порядка кристалла (Z-срез) и перпендикулярно оси симметрии второго порядка (Х-срез). Измерены спектральные зависимости коэффициентов пропускания с учетом анизотропии и дихроизма в диапазоне длин волн (240–700) нм. В исходном состоянии на Z срезе в ультрафиолетовом излучении наблюдается полоса поглощения на λ = 360 нм, в видимой области – две полосы поглощения на λ = 460 и 605 нм. На образцах Х-срезов дополнительно наблюдается полоса на λ = 290 нм; при повороте образца на 90° вокруг направления луча света наблюдается изменение интенсивности полос поглощения. Отжиг образцов в вакууме приводит к уменьшению интенсивности полос поглощения в ближнем ультрафиолетовом излучении и видимом диапазоне, кроме полосы поглощения на λ = 605 нм. Отжиг кристаллов на воздухе приводит к обратному эффекту – усилению интенсивности полос поглощения, кроме полосы λ = 605 нм. Методом Малляра оценена величина аномального двулучепреломления образцов. Рассчитана степень линейного дихроизма. Показано, что в результате отжига в вакууме степень дихроизма понижается, а при отжиге на воздухе увеличивается.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):65–70
pages 65–70 views

Влияние облучения протонами на оптические свойства и дефектообразование в кристаллах Gd3AlxGa5–xO12 (x = 2, 3)

Касимова В.М., Козлова Н.С., Забелина Е.В., Бузанов О.А., Лагов П.Б., Павлов Ю.С., Кулевой Т.В., Столбунов В.С.

Аннотация

Исследовано влияние облучения дозой протонов 50 Мрад (Si) на оптические свойства и дефектообразование в кристаллах гадолиний-алюминий-галлиевого граната при замещении алюминия и галлия в катионной подрешетке: Gd3Al2Ga3O12 (Al:Ga = 2:3) и Gd3Al3Ga2O12 (Al:Ga = 3:2). После облучения протонами кристаллы изменяют окраску: в спектре пропускания каждого кристалла появляется дополнительная полоса поглощения в диапазоне длин волн 400–500 нм. Это связано с образованием наведенных структурных дефектов в виде центров окраски. Коэффициенты преломления n(λ) были определены спектрофотометрическим методом Брюстера и практически не изменились после облучения протонами для кристаллов Al:Ga = 2:3, но в значительной степени увеличились для Al:Ga = 3:2. На спектральных зависимостях наблюдается заметное увеличение показателей ослабления светового потока после облучения, что также свидетельствует об образовании дополнительных структурных дефектов.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):71–76
pages 71–76 views

Дефекты в h-BN: компьютерное моделирование размерных эффектов

Латыпов Р.М., Созыкин С.А., Бескачко В.П.

Аннотация

Методами моделирования из первых принципов исследовано влияние размерных эффектов на свойства монослоя гексагонального нитрида бора (h-BN), содержащего дефекты типа CBVN, NBVN, и OBOBVN. Они потенциально способны генерировать одиночные фотоны в устройствах квантовой оптики и информатики. Под размерными эффектами здесь понимают зависимость свойств изучаемой модели от размеров моделируемого фрагмента 2D структуры при периодических граничных условиях. Физически это означает зависимость свойств монослоя от расстояния между дефектами. Такая зависимость позволяет судить о том, насколько сильно дефекты взаимодействуют друг с другом и взаимодействуют ли вообще. Для технических приложений важны характеристики зонной структуры (ширина запрещенной зоны, спектр и плотность индуцированных дефектом электронных состояний в запрещенной зоне) и атомной структуры дефекта (энергия образования дефектов, геометрия в равновесной конфигурации), формирующие эту зонную картину. В настоящей работе эти свойства изучены в рамках теории функционала электронной плотности c использованием базисов атомноподобных функций (пакет SIESTA) и плоских волн (пакет VASP). Полученные результаты согласуются друг с другом. Установлено, что при расстоянии между дефектами в 10 параметров элементарной ячейки их можно считать невзаимодействующими.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):77–83
pages 77–83 views

Состав кремния, совместно легированного атомами галлия и фосфора

Зикриллаев Н.Ф., Ковешников Ч.В., Турекеев Х.С., Исмайлов Б.К.

Аннотация

Экспериментально исследованы морфология и состав поверхности кремния с помощью сканирующего электронного микроскопа, рентгенофазового анализа и различные пики в спектре комбинационного рассеяния. Исследованы спектральные характеристики кремния, легированного примесными атомами фосфора и галлия. Показано, что в решетке кремния, легированной одновременно атомами галлия и фосфора, примесные атомы образуют бинарные комплексы. Экспериментальное определение концентрации примесных атомов галлия и фосфора позволило выявить значительное увеличение концентрации галлия, по сравнению с его фундаментальной растворимостью в кремнии. Показано, что достаточно большая концентрация таких элементарных ячеек может привести к существенному изменению электрофизических параметров кремния, т.е. возможности получения нового материала на основе кремния.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):84–89
pages 84–89 views

Механизмы формирования и накопления разориентаций в деформируемых металлах и сплавах

Черепанов Д.Н., Соловьева Ю.В., Старенченко В.А.

Аннотация

Теоретически исследовано формирование разориентированных субструктур в пластически деформируемых металлических материалах. Получены выражения для интенсивности накопления малоугловых и высокоугловых границ разориентации. В рамках математической модели сдвиговой пластической деформации и упрочнения выполнены численные расчеты зависимостей средних характеристик дефектной среды от степени деформации в условиях одноосного сжатия с постоянной скоростью деформации при комнатной температуре. Показано, что интенсивность генерации малоугловых стенок наклона существенно зависит от сценария изменения плотности порогов на винтовых сегментах дислокационных петель, испускаемых дислокационными источниками. Основным механизмом формирования малоугловых стенок является перестроение скоплений краевых сегментов дислокационных петель в стенки наклона под воздействием потоков межузельных атомов, генерируемых движущимися винтовыми сегментами. Предполагается, что малоугловые стенки сливаются в одну до тех пор, пока суммарный угол разориентации слившихся стенок не достигнет критической величины около 10°, после чего расстояние между дислокациями в стенке уменьшается до соответствующей критической величины и дальнейшее проникновение отдельных дислокаций в стенку становится невозможным. Выражение для интенсивности формирования высокоугловых границ получено как следствие продолжения работы дислокационных источников и формирования скоплений малоугловых стенок, суммарная энергия которых выше, чем энергия равновесной высокоугловой границы при той же разориентации.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):90–101
pages 90–101 views

Влияние шероховатости поверхности на прочность сапфирового волокна

Стрюков Д.О., Кийко В.М., Курлов В.Н.

Аннотация

В работе испытаны на прочность волокна сапфира, полученные модифицированным методом Степанова. Исследование поверхности сапфировых волокон, получаемых из расплава, показывает, что шероховатость волокон возникает в основном за счет его колебания в восходящих газовых потоках в процессе выращивания. Изучено влияние шероховатости поверхности волокна на его прочность. Для снижения шероховатости использовали систему стабилизации диаметра волокон, позволившую снизить параметры шероховатости до нескольких десятков нанометров. При проведении испытаний установлено, что снижение шероховатости поверхности волокна приводит к повышению его прочности, а прочность волокон убывает с длиной в степенной зависимости.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):102–108
pages 102–108 views

Влияние изгиба отражающих плоскостей на распространение аномальной волны при дифракции рентгеновского излучения в кристаллах

Смирнова И.А., Суворов Э.В.

Аннотация

Методами численного моделирования изучено влияние изгиба отражающих плоскостей на распространение аномальной волны при дифракции рентгеновского излучения в кристаллах. Установлено, что знак изгиба отражающих плоскостей кардинальным образом влияет на распространение рентгеновского волнового поля в кристалле. Показано, что при определенных параметрах изгиба подавляется эффект Бормана.

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024;(1):109–112
pages 109–112 views

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах