Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Iakovleva, N.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Short-wavelength infrared array avalanche photodetectors on the basis of InGaAs heteroepitaxial structures
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Temperature dependence of diffusion length in MCT epitaxial layers
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
320 × 256 avalanche array photodetector on the basis of ternary alloys of the A
3
B
5
group with an InGaAs absorbing layer and an InAlAs barrier layer
Том 61, № 10 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Experimental investigation and calculation of the spectral dependence of the absorption coefficient of single-layer epitaxial HgCdTe structures
Том 62, № 3 (2017)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Investigation of spectral dependences of the absorption coefficient in InGaAs layers
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Savitzky–Golay filtering of the spectral sensitivity of photodetector arrays
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Analysis of characteristics of photodetectors based on InGaAs heteroepitaxial structures for 3D imaging
Том 63, № 3 (2018)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Influence of Indirect Transitions on Optical Characteristics of A
3
B
5
Heteroepitaxial Layers
Том 63, № 9 (2018)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Multi-Row Photodetectors for the Short Wavelength IR Region Based on HgCdTe Heteroepitaxial Structures
Том 64, № 3 (2019)
Article
Effect of Surface Recombination on the Parameters of Photodiodes Based on HgCdTe Semiconductor Structures
Том 64, № 9 (2019)
Article
Analysis of Current–Voltage Characteristics in UV AlGaN Heterostructure FPAs
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP