Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Sednev, M.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Short-wavelength infrared array avalanche photodetectors on the basis of InGaAs heteroepitaxial structures
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Focal plane arrays mesastructures formation by ion-beam etching
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Characteristics of heteroepitaxial structures Al
x
Ga
1–
x
N for
p
–
i
–
n
diode focal plane arrays
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Analysis of characteristics of photodetectors based on InGaAs heteroepitaxial structures for 3D imaging
Том 63, № 9 (2018)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Current–Voltage Characteristics of
n-B-p
Structures with Absorbing In
0.53
Ga
0.47
As Layer
Том 64, № 3 (2019)
Article
Study of Photodiodes Based on the InGaAs Structure with a Boundary Wavelength of 2.06 μm
Том 64, № 9 (2019)
Article
Analysis of Current–Voltage Characteristics in UV AlGaN Heterostructure FPAs
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP