Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Sednev, M.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Short-wavelength infrared array avalanche photodetectors on the basis of InGaAs heteroepitaxial structures
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Focal plane arrays mesastructures formation by ion-beam etching
Том 61, № 3 (2016)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Characteristics of heteroepitaxial structures Al
x
Ga
1–
x
N for
p
–
i
–
n
diode focal plane arrays
Том 62, № 9 (2017)
Articles from the Russian Journal Uspekhi Prikladnoi Fiziki
Analysis of characteristics of photodetectors based on InGaAs heteroepitaxial structures for 3D imaging
Том 63, № 9 (2018)
Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
Current–Voltage Characteristics of
n-B-p
Structures with Absorbing In
0.53
Ga
0.47
As Layer
Том 64, № 3 (2019)
Article
Study of Photodiodes Based on the InGaAs Structure with a Boundary Wavelength of 2.06 μm
Том 64, № 9 (2019)
Article
Analysis of Current–Voltage Characteristics in UV AlGaN Heterostructure FPAs
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP