Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Анықтамалық материалдар
Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Luzanov, V. A.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 61, № 2 (2016)
Nanoelectronics
Deposition of heteroepitaxial layers of topological insulator Bi
2
Se
3
in the trimethylbismuth–isopropylselenide–hydrogen system on the (0001) Al
2
O
3
and (100) GaAs substrates
Том 62, № 7 (2017)
Nanoelectronics
Single-domain nickel films for production of graphene
Том 62, № 8 (2017)
Nanoelectronics
Effects of resistive switching in Au/FeO
x
/Pt structures
Том 62, № 10 (2017)
Nanoelectronics
Specific features of the formation of oblique texture in aluminum nitride films
Том 63, № 9 (2018)
Nanoelectronics
Diamond-Like Carbon Films Obtained by the Method of High-Frequency Diode Sputtering
Том 63, № 9 (2018)
Physical Processes in Electronic Devices
Deposition Process Optimization of Zinc Oxide Films with Inclined Texture Axis
Том 64, № 7 (2019)
Nanoelectronics
Growth Features of Thin Epitaxial Magnesium Oxide Films on Sapphire
TOP