Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Luzanov, V. A.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 61, № 2 (2016)
Nanoelectronics
Deposition of heteroepitaxial layers of topological insulator Bi
2
Se
3
in the trimethylbismuth–isopropylselenide–hydrogen system on the (0001) Al
2
O
3
and (100) GaAs substrates
Том 62, № 7 (2017)
Nanoelectronics
Single-domain nickel films for production of graphene
Том 62, № 8 (2017)
Nanoelectronics
Effects of resistive switching in Au/FeO
x
/Pt structures
Том 62, № 10 (2017)
Nanoelectronics
Specific features of the formation of oblique texture in aluminum nitride films
Том 63, № 9 (2018)
Nanoelectronics
Diamond-Like Carbon Films Obtained by the Method of High-Frequency Diode Sputtering
Том 63, № 9 (2018)
Physical Processes in Electronic Devices
Deposition Process Optimization of Zinc Oxide Films with Inclined Texture Axis
Том 64, № 7 (2019)
Nanoelectronics
Growth Features of Thin Epitaxial Magnesium Oxide Films on Sapphire
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP