De Haas–van Alphen Oscillations of the Silicon Nanostructure in Weak Magnetic Fields at Room Temperature. Density of States


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The field dependence of magnetization of a silicon nanosandwich measured at room temperature in weak magnetic fields manifests de Haas–van Alphen oscillations, the behavior of which is explained under the condition of the dependence of the effective carrier mass on the external magnetic field.

Авторлар туралы

V. Romanov

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: Bagraev@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 195251

V. Kozhevnikov

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: Bagraev@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 195251

C. Tracey

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: Bagraev@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 195251

N. Bagraev

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University; Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: Bagraev@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 195251; St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019