Информация об авторе

Vyuginov, V. N.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 2 (2016) Physics of Semiconductor Devices Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах