Информация об авторе

Sleptsuk, N.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 53, № 7 (2019) Physics of Semiconductor Devices Low-Temperature Annealing of Lightly Doped n-4H-SiC Layers after Irradiation with Fast Electrons

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах