Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Dudin, A.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 51, № 2 (2017)
Surfaces, Interfaces, and Thin Films
Influence of the doping type and level on the morphology of porous Si formed by galvanic etching
Том 52, № 4 (2018)
XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, June 26–30, 2017. Quantum Wells, Quantum Wires, Quantum Dots, and Band Structure
Self-Consistent Simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs Heterostructures Photoluminescence Spectra and Its Application to pHEMT Structures Diagnostics
Том 52, № 8 (2018)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Specific Features of the Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions
Том 52, № 13 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
nBn-Photodiode Based on InAsSb/AlAsSb Alloys with a Long-Wavelength Cutoff of 5 μm
Том 52, № 15 (2018)
Electronics Materials
Effect of the Plasma Functionalization of Carbon Nanotubes on the Formation of a Carbon Nanotube–Nickel Oxide Composite Electrode Material
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP