Информация об авторе

Ageev, A.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 52, № 13 (2018) Physics of Semiconductor Devices Charge Accumulation in MOS Structures with a Polysilicon Gate under Tunnel Injection

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах