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Nikolaev, A. E.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 50, Nº 9 (2016) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs
Volume 53, Nº 9 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates

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