Автор туралы ақпарат

Mokhov, D.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 52, № 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY Processing of GaN/Si(111) Epitaxial Structures for MEMS Applications
Том 53, № 9 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Том 53, № 12 (2019) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Metal-Assisted Photochemical Etching of N- and Ga-Polar GaN Epitaxial Layers

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>