🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

作者的详细信息

Volochaev, M. N.

期 栏目 标题 文件
卷 52, 编号 5 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Technology Effect of Epitaxial Alignment on Electron Transport from Quasi-Two-Dimensional Iron Silicide α-FeSi2 Nanocrystals Into p-Si(001)
卷 53, 编号 11 (2019) Surfaces, Interfaces, and Thin Films Structure and Electrical Properties of (ZnO/SiO2)25 Thin Films
卷 53, 编号 14 (2019) Nanostructure Devices Study of the Photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS Structure at Cryogenic Temperatures
卷 53, 编号 14 (2019) Nanostructure Devices Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure