Автор туралы ақпарат
Pashenkin, I. J.
| Шығарылым | Бөлім | Атауы | Файл |
| Том 52, № 12 (2018) | Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 | Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates |