MBE growth and Structural Properties of InAs and InGaAs Nanowires with Different Mole Fraction of In on Si and Strongly Mismatched SiC/Si(111) Substrates


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The possibility of InAs nanowires MBE growth on silicon (111) substrates with a nanometer buffer layer of silicon carbide has been demonstrated for the first time. The NWs diameter turned out to be smaller than on the silicon substrate—the minimum of NWs diameter was less than 10 nm. In addition, dependence of structural properties of InGaAs nanowires on composition was studied.

Об авторах

R. Reznik

St. Petersburg Academic University Russian Academy of Sciences; ITMO University; Institute for Analytical Instrumentation Russian Academy of Sciences; Peter the Great Polytechnic University

Автор, ответственный за переписку.
Email: moment92@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197101; St. Petersburg, 190103; St. Petersburg, 195251

K. Kotlyar

St. Petersburg Academic University Russian Academy of Sciences

Email: moment92@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

I. Soshnikov

St. Petersburg Academic University Russian Academy of Sciences; Institute for Analytical Instrumentation Russian Academy of Sciences

Email: moment92@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 190103

S. Kukushkin

Institute of Problems of Mechanical Engineering Russian Academy of Science

Email: moment92@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 199178

A. Osipov

Institute of Problems of Mechanical Engineering Russian Academy of Science

Email: moment92@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 199178

G. Cirlin

St. Petersburg Academic University Russian Academy of Sciences; ITMO University; Institute for Analytical Instrumentation Russian Academy of Sciences; Peter the Great Polytechnic University

Email: moment92@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197101; St. Petersburg, 190103; St. Petersburg, 195251

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).