Отправить статью по E-mail Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия
- Авторы: Голиков О.Л.1, Кодочигов Н.Е.1, Оболенский С.В.1, Пузанов А.С.1, Тарасова Е.А.1, Хазанова C.В.1
-
Учреждения:
- ННГУ им. Н.И. Лобачевского
- Выпуск: Том 53, № 1 (2024)
- Страницы: 3-7
- Раздел: ДИАГНОСТИКА
- URL: https://journals.rcsi.science/0544-1269/article/view/259575
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126924010017
- ID: 259575
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
В работе приведены результаты исследований вольт-фарадных характеристик GaAs/In0.53Ga0.47As HEMT до и после нейтронного облучения флюенсом (6.3 ± 1.3) × 1014 у. е. На основании экспериментально полученных характеристик проведены расчеты эффективных профилей распределения электронов исследуемой структуры до и после облучения. Проведен анализ влияния радиационных дефектов на δ-слои исследуемой структуры.
Об авторах
О. Л. Голиков
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород
Н. Е. Кодочигов
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород
С. В. Оболенский
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород
А. С. Пузанов
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород
Е. А. Тарасова
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Автор, ответственный за переписку.
Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород
C. В. Хазанова
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Email: tarasova@rf.unn.ru
Россия, Нижний Новгород
Список литературы
- Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989. 256 с.
- Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм // Физика и техника полупроводников. Т. 54. № 9. С. 968–973.
- Петровская А.Н., Зубков В.И. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. № 10. С. 1368–1373.
- Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Зубков В.И. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 2. С. 281–286.
- Енишерлова К.Л., Колковский Ю.В., Бобров Е.А., Темпер Э.М., Капилин С.А. Влияние дефектов с глубокими уровнями на C–V-характеристики мощных AlGaN/GaN/SiC HEMT // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 1. С. 47–55.
- Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Тихов С.В., Байдусь Н.В. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 1. С. 53–57.
- Яковлев Г.Е., Дорохин М.В., Зубков В.И., Дудин А.Л. и др. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 8. С. 873–880.
- Солтанович О.А., Якимов Е.Б. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 12. С. 1597–1603.
- Lei W., Offer M., Lorke A. et al. Probing the band structure of InAs/GaAs quantum dots by capacitance-voltage and photoluminescence spectroscopy // APPLIED PHYSICS LETTERS. 2008. V. 92. P. 193111-1–193111-3.
- Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В. и др. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT-структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 12. С. 1599–1604.
- Brounkov P.N., Benyattou T., Guillotb G. Simulation of the capacitance-voltage characteristics of a single‐quantum‐well structure based on the self‐consistent solution of the Schrödinger and Poisson equations // J. Appl. Phys. 80 (2), 15 July 1996.
- Оболенский С.В., Волкова Е.В., Логинов А.Б. и др. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 5. С. 38–41.
- Вентцель Е.С. Теория вероятностей. М.: Наука, 1969. 576 с.
- Кривулин Д.О., Пашенькин И.Ю., Горев Р.В., Юнин П.А., Сапожников M.В., Грунин А.В., Захарова С.А., Леонтьев В.Н. Влияние радиационного воздействия на магнитные свойства пленок ферромагнетик/IrMn с обменным сдвигом // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 93. № 7. С. 907–912.
Дополнительные файлы
