Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Menu
Arquivos
Página principal
Sobre a Revista
Equipe Editorial
Política Editorial
Diretrizes para Autores
Sobre a Revista
Edições
Pesquisa
Edição corrente
Arquivos
Contatos
Todas as revistas
Usuário
Nome de usuário
Senha
Lembrar usuário
Esqueceu a senha?
Cadastro
Conteúdo da revista
Pesquisa
Escopo da Busca
Todos
Autores
Título
Resumo
Termos
Texto integral
Navegar
Edições
Autores
por título
Outras Revistas
×
Usuário
Nome de usuário
Senha
Lembrar usuário
Esqueceu a senha?
Cadastro
Conteúdo da revista
Pesquisa
Escopo da Busca
Todos
Autores
Título
Resumo
Termos
Texto integral
Navegar
Edições
Autores
por título
Outras Revistas
Página principal
>
Pesquisa
>
Informaçao sobre o Autor
Informaçao sobre o Autor
Kwon, K.-H.
Edição
Seção
Título
Arquivo
Volume 52, Nº 2 (2023)
ТЕХНОЛОГИЯ
Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
Volume 52, Nº 1 (2023)
ТЕХНОЛОГИЯ
Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO
2
в плазме CF
4
/C
4
F
8
/Ar/He
Volume 52, Nº 4 (2023)
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures
Este site utiliza cookies
Ao continuar usando nosso site, você concorda com o procedimento de cookies que mantêm o site funcionando normalmente.
Informação sobre cookies
TOP