Отправить статью по E-mail Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors
- Авторы: Voitsekhovskii A.V.1, Gorn D.I.1
-
Учреждения:
- Tomsk State University
- Выпуск: Том 62, № 3 (2017)
- Страницы: 314-316
- Раздел: Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
- URL: https://journals.rcsi.science/1064-2269/article/view/198133
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226917030214
- ID: 198133
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Modern trends in the technology of CdxHg1–xTe-based photosensitive barrier structures for the middle and far infrared bands, which can operate at near-room temperatures, are analyzed. Main approaches to solving the problem of increasing the photodiode-detector operating temperature have been considered and analyzed.
Ключевые слова
Об авторах
A. Voitsekhovskii
Tomsk State University
Автор, ответственный за переписку.
Email: vav43@mail.tsu.ru
Россия, Tomsk, 634050
D. Gorn
Tomsk State University
Email: vav43@mail.tsu.ru
Россия, Tomsk, 634050
Дополнительные файлы
