Analysis of the  nBn -type barrier structures for infrared photodiode detectors

A. V. Voitsekhovskii; D. I. Gorn

doi:10.1134/S1064226917030214

Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors

Авторы: Voitsekhovskii A.¹, Gorn D.¹
Учреждения:
1. Tomsk State University
Выпуск: Том 62, № 3 (2017)
Страницы: 314-316
Раздел: Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
URL: https://journals.rcsi.science/1064-2269/article/view/198133
DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226917030214
ID: 198133

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Статистика

Аннотация

Modern trends in the technology of Cd_xHg_1–xTe-based photosensitive barrier structures for the middle and far infrared bands, which can operate at near-room temperatures, are analyzed. Main approaches to solving the problem of increasing the photodiode-detector operating temperature have been considered and analyzed.

Ключевые слова

MCT, Cd_xHg_1–xTe, photodetector, barrier structure, nBn

Об авторах

A. Voitsekhovskii

Tomsk State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: vav43@mail.tsu.ru
Россия, Tomsk, 634050

D. Gorn