Analysis of the  nBn -type barrier structures for infrared photodiode detectors

A. V. Voitsekhovskii; D. I. Gorn

doi:10.1134/S1064226917030214

Analysis of the nBn-type barrier structures for infrared photodiode detectors

Авторлар: Voitsekhovskii A.¹, Gorn D.¹
Мекемелер:
1. Tomsk State University
Шығарылым: Том 62, № 3 (2017)
Беттер: 314-316
Бөлім: Articles from the Russian Journal Prikladnaya Fizika
URL: https://journals.rcsi.science/1064-2269/article/view/198133
DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226917030214
ID: 198133

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Статистика

Аннотация

Modern trends in the technology of Cd_xHg_1–xTe-based photosensitive barrier structures for the middle and far infrared bands, which can operate at near-room temperatures, are analyzed. Main approaches to solving the problem of increasing the photodiode-detector operating temperature have been considered and analyzed.

Негізгі сөздер

MCT, Cd_xHg_1–xTe, photodetector, barrier structure, nBn

Авторлар туралы

A. Voitsekhovskii

Tomsk State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vav43@mail.tsu.ru
Ресей, Tomsk, 634050

D. Gorn