Temperature dependence of diffusion length in MCT epitaxial layers


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The temperature dependence of the minority charge carriers diffusion length in the active photosensitive layer of a matrix photodetector based on MCT heteroepitaxial structure grown by molecular beam epitaxy is studied.

Об авторах

I. Nikiforov

Orion R&P Association Inc.; Moscow Institute of Physics and Technology

Автор, ответственный за переписку.
Email: orion@orion-ir.ru
Россия, 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538; Institutski per. 9, Dolgoprudny, Moscow oblast, 141700

A. Nikonov

Orion R&P Association Inc.; Moscow Institute of Physics and Technology

Email: orion@orion-ir.ru
Россия, 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538; Institutski per. 9, Dolgoprudny, Moscow oblast, 141700

K. Boltar

Orion R&P Association Inc.; Moscow Institute of Physics and Technology

Email: orion@orion-ir.ru
Россия, 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538; Institutski per. 9, Dolgoprudny, Moscow oblast, 141700

N. Iakovleva

Orion R&P Association Inc.

Email: orion@orion-ir.ru
Россия, 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).