Temperature dependence of diffusion length in MCT epitaxial layers


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The temperature dependence of the minority charge carriers diffusion length in the active photosensitive layer of a matrix photodetector based on MCT heteroepitaxial structure grown by molecular beam epitaxy is studied.

Авторлар туралы

I. Nikiforov

Orion R&P Association Inc.; Moscow Institute of Physics and Technology

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: orion@orion-ir.ru
Ресей, 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538; Institutski per. 9, Dolgoprudny, Moscow oblast, 141700

A. Nikonov

Orion R&P Association Inc.; Moscow Institute of Physics and Technology

Email: orion@orion-ir.ru
Ресей, 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538; Institutski per. 9, Dolgoprudny, Moscow oblast, 141700

K. Boltar

Orion R&P Association Inc.; Moscow Institute of Physics and Technology

Email: orion@orion-ir.ru
Ресей, 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538; Institutski per. 9, Dolgoprudny, Moscow oblast, 141700

N. Iakovleva

Orion R&P Association Inc.

Email: orion@orion-ir.ru
Ресей, 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Inc., 2016