Journal of Communications Technology and Electronics
ISSN 1064-2269 (Print)
ISSN 1555-6557 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Keywords
: wireless network
FPA
HgCdTe
InGaAs
InGaAs/InP
MCT
UAV
Wi-Fi
avalanche photodiode
combinatorial optimization
dark current
extremal ellipsoids
heteroepitaxial structures
image restoration
indium antimonide
interband tunnel current
neural networks
noise
photodetector
photodiode
photosensitivity
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Luzanov, V.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 61, № 2 (2016)
Nanoelectronics
Deposition of heteroepitaxial layers of topological insulator Bi
2
Se
3
in the trimethylbismuth–isopropylselenide–hydrogen system on the (0001) Al
2
O
3
and (100) GaAs substrates
Том 62, № 7 (2017)
Nanoelectronics
Single-domain nickel films for production of graphene
Том 62, № 8 (2017)
Nanoelectronics
Effects of resistive switching in Au/FeO
x
/Pt structures
Том 62, № 10 (2017)
Nanoelectronics
Specific features of the formation of oblique texture in aluminum nitride films
Том 63, № 9 (2018)
Nanoelectronics
Diamond-Like Carbon Films Obtained by the Method of High-Frequency Diode Sputtering
Том 63, № 9 (2018)
Physical Processes in Electronic Devices
Deposition Process Optimization of Zinc Oxide Films with Inclined Texture Axis
Том 64, № 7 (2019)
Nanoelectronics
Growth Features of Thin Epitaxial Magnesium Oxide Films on Sapphire
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP