Информация об авторе

Mokrushina, S.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 52, № 6 (2018) Physics of Semiconductor Devices Model for Charge Accumulation in n- and p-MOS Transistors during Tunneling Electron Injection from a Gate

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах