Информация об авторе

Ved’, M. V.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 53, № 9 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах