Информация об авторе
Ved’, M. V.
Выпуск | Раздел | Название | Файл |
Том 53, № 9 (2019) | Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 | Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers |