Информация об авторе
Stepanov, B.
Выпуск | Раздел | Название | Файл |
Том 52, № 6 (2018) | Electronic Properties of Semiconductors | Electrophysical Properties of p-Type Undoped and Arsenic-Doped Hg1 – xCdxTe Epitaxial Layers with x ≈ 0.4 Grown by the MOCVD Method |