Автор туралы ақпарат

Rogl, P. -F.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 52, № 3 (2018) Electronic Properties of Semiconductors Mechanism of the Generation of Donor–Acceptor Pairs in Heavily Doped n-ZrNiSn with the Ga Acceptor Impurity

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>