Physicochemical deposition features of peritectic alloys for high-density chipping of silicon crystals

V. M. Roshchin; V. L. Dshkhunyan; I. N. Petukhov; K. S. Sen’chenko; M. S. Vagin

doi:10.1134/S1063739716040090

Physicochemical deposition features of peritectic alloys for high-density chipping of silicon crystals

Авторлар: Roshchin V.M.¹, Dshkhunyan V.L.², Petukhov I.N.¹, Sen’chenko K.S.¹, Vagin M.S.¹
Мекемелер:
1. National Research University MIET
2. OAO Rossiiskaya Elektronika
Шығарылым: Том 45, № 5 (2016)
Беттер: 324-328
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/185735
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739716040090
ID: 185735

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Physicochemical aspects of the electrochemical formation of vertical contact structures of the Sn–Ag peritectic composition for chipping integrated microcircuits by the inverted crystal method are considered. The layer-by-layer deposition of metals is investigated and the conditions of the vertical growth of the structures are determined.