Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements

A. S. Benediktov; N. A. Shelepin; P. V. Ignatov; A. A. Mikhailov; A. G. Potupchik

doi:10.1134/S1063739718030022

Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements

Авторлар: Benediktov A.S.¹, Shelepin N.A.¹, Ignatov P.V.¹, Mikhailov A.A.¹, Potupchik A.G.¹
Мекемелер:
1. Molecular Electronics Research Institute (MERI)
Шығарылым: Том 47, № 3 (2018)
Беттер: 197-200
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7397/article/view/186831
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739718030022
ID: 186831

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The static and dynamic characteristics of SOI CMOS inverters are investigated in the temperature range from–60 to 250°С. The experimental dependences of the dynamic and static currents, as well as the delay of the logic gate (inverter), on temperature are obtained. Based on these characteristics, the operability of SOI CMOS logic gates at high temperatures is estimated.